三星率先为DRAM芯片导入EUV:明年将用于DDR5/LPDD

当前在芯片制造中最先进的EUV(极紫外光刻)工艺被三星率先用到了DRAM内存颗粒的出产中。

这家韩国巨头今日公布发表,已经出货100万第一代10nm EUV级(D1x)DDR4 DRAM模组,并完玉成球客户评估,这为此后高端PC、手机、企业级处事器等应用规模开启新大门。

得益于EUV技能,可以在精度更高的光刻中淘汰多次图案化的反复轨范,并进一步提升产能。

三星暗示,将从第四代10nm级(D1a)DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV,明年基于D1a大范围量产DDR5LPDDR5内存芯片,估量会使12英微暇晶圆的出产率翻番。

不过,目前撑持DDR5的PC平台尚未表态,新闻头条5dianbanLPDDR5却是已经逐渐铺开。三星量产的第一代EUV DDR5 DRAM单芯片容量为16Gb(2GB),所在是平泽市的V2线。

按照三星此前的预判,EUV将赐顾助公司至少推进到3nm尺度。

三星率先为DRAM芯片导入EUV:明年将用于DDR5/LPDD

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